992 ผู้เข้าชม

Samsung สร้างชิพ ASIC สำหรับการขุดเหมือง Cryptocurrency แล้วนะ

 

ยอดขายของผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ของ Samsung กำลังมีอัตราเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ จนพลักดันให้ Samsung ได้กลายเป็นผู้นำตลาดด้านเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งนับว่ายิ่งใหญ่นำ Intel ซึ่งเป็นบริษัทที่เข้าสู่ตลาดนี้มานานกว่า 25 ปี

ยอดขายพุ่งกระฉูด

การเพิ่มขึ้นของตลาดนี้เป็นเพราะหลากหลายปัจจัยหลายประการ ซึ่งหนึ่งในนั้นที่ทำให้เติบโตอย่างมากคือหน่วยความจำ DRAM ของ Samsung และหน่วยความจำ NAND ที่มีความต้องการสูง รองลงมาคือการขายชิปที่ได้ผลิตออกมาจำนวนมากสำหรับตลาดมือถือและในที่สุด Samsung ได้รับคำสั่งซื้อจากบุคคลที่สามเพื่อสร้างชิพ ASIC

ในช่วงหลายสัปดาห์ที่ผ่านมามีรายงานจากผู้ค้าบางแห่งที่ TSMC ได้สร้างซิลิคอนเวเฟอร์สำหรับการนำไปผลิตชิพเพื่องานเหมือง Cryptocurrency มากกว่าจัดทำส่งให้ Nvidia เพื่อนำไปสร้าง ASIC จำนวนมากขึ้นเพื่อใช้ในการทำเหมือง Cryptocurrencies ความต้องการที่มากขึ้นในการทำเหมืองทำให้ TSMC ไม่สามารถขยายกำลังผลิตได้ทัน โดย Samsung ก็ได้รับคำสั่งซื้อจำนวนมากสำหรับฮาร์ดแวร์ชนิดนี้ด้วย

Samsung กล่าวถึงเรื่องนี้ในงบการเงินไตรมาสที่ 4 ของปี พ.ศ. 2562 โดยแถลงข่าวระบุว่า “ในไตรมาสแรกรายได้คาดว่าจะเพิ่มการผลิตในผลิตภัณฑ์ที่ใช้งานกระบวนการผลิต 10nm รุ่นที่ 2 สำหรับสมาร์ทโฟนที่เป็นเรือธงในปีนี้ และความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับชิพประมวลผล Cryptocurrency Mining นี่แสดงให้เห็นถึงได้ว่าจะมีการเติบโตของขอดขายในไตรมาส 1 ปี พ.ศ. 2562 ได้”

ในการออกมากว่าวต่อ TechCrunch โฆษกของ Samsung กล่าวว่าต่อไปนี้ยืนยันว่ากำลังทำการสร้างชิปที่ทำมาเฉพาะการทำเหมืองโดยจะยังไม่มีการเปิดเผยชื่อลูกค้าในขณะนี้

ธุรกิจผลิตชิพของซัมซุงกำลังดำเนินการผลิตชิพเพื่อการประมวลผล Cryptocurrency อย่างไรก็ตามเราไม่สามารถเปิดเผยรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับลูกค้าของเราได้

 

ปัญหาหลักที่เกิดกับการทำเหมือง ASIC คือวงจรของพวกเขามีความเชี่ยวชาญสูงมากดังนั้นฮาร์ดแวร์ที่ผลิตขึ้นมาจึงไม่สามารถใช้งานอื่นได้นอกเหนือจากการทำเหมืองข้อมูล Cryptocurrency ตรงกันข้ามกับกราฟิกการ์ดที่ยังคงมีคุณค่าแม้ว่าจะเกิดความผิดพลาดในการทำเหมืองข้อมูล ซึ่งแม้ว่าข้อได้เปรียบในด้านประสิทธิภาพต่อวัตต์และประสิทธิภาพในการทำกำไรของ ASIC ที่มากกว่า ที่ยังสามารถนำไปขายต่อได้

ก้าวต่อไปของ Samsung

Samsung ต้องเพิ่มความพยายามในการผลิตชิพด้วยการออกแบบชิปเพื่อจำหน่ายให้กับบุคคลที่สามและ Crypto Market ก็เป็นอีกตลาดที่น่ายินดีอีกที่ ด้วยการตอบรับข้อเสนอจากจาก Samsung ทำให้ทางบริษัทสามารถใช้ประโยชน์จากความต้องการในตอนนี้และขายชิปให้กับลูกค้าพี่เพิ่มมากขึ้น ข้อตกลงในการสร้าง ASIC เหล่านี้จะช่วยให้ Samsung ได้รับการยกย่องมากขึ้นในฐานะโรงงานผลิตชิพซึ่งทำให้พวกเขามีความเทียบเคียงกับคู่แข่งอย่าง TSMC มากขึ้นในแง่ของการผลิตชิพเพื่อใช้กับอุปกรณ์อื่นนอกจากมือถือ

ที่มา : overclock3d

Share This:

1.7K ผู้เข้าชม

Samsung เปิดตัว 16-Gigabit GDDR6 Memory เป็นเจ้าแรก

 

Samsung Electronics Co., Ltd. ผู้นำในด้านเทคโนโลยีการผลิตชิป memory ได้ออกมาประกาศเริ่มการผลิต ชิป 16-gigabit (Gb) GDDR6 (Graphics Double Data Rate 6) ในแบบ mass production เป็นเจ้าแรกในอุตกรรมผลิตชิป ที่ใช้การชิปกราฟฟิคสำหรับเครื่องเล่นเกม และการ์ดจอ รวมถึงชิปที่ใช้ในยานยนต์ , network และ ระบบ A.I. (Artificial Intelligence system)

 GDDR6

“การเริ่มผลิต 16 Gb GDDR6 เป็นเจ้าแรกของอุตสาหกรรมนี้จะทำให้เราสามารถ DRAM ที่ครอบคลุมกราฟฟิค line-up ที่ประสิทธิภาพสูงสุดและมีความจุที่สูงขึ้นในเวลาที่เหมาะสม”  Jinman Han รองประธานอาวุโสฝ่ายวางแผนผลิตภัณฑ์ Memory และ วิศวกรรม Application ของ Samsung Electronics กล่าว “ด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ next-generation GDDR6 นั้นจะทำให้ตลาด gaming และการ์ดจอแข็งแกร่งขึ้น และเติบโตขึ้นเพื่อรองรับความต้องการของ advanced graphics memory ในตลาดยานยนต์และระบบ network ”

โดยตัวชิปนั้นนั้นผลิตด้เวยเทคโนโลยีการผลิตของ Samsung ที่ 10-nanomter (nm) ทำให้ GDDR6 memory นั้นมีความจุที่ 16 Gb (2 GB) ซึ่งมากกว่าชิป memory ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 20-nanometer ที่ความจุ 8 Gb สำหรับ GDDR5 memory โดยโซลูชั่นใหม่นี้จะทำความเร็วได้ที่ 18-gigabits-per-second (Gbps) สามารถรับส่งข้อมูลได้ที่ 72 gigabytes per second (GBps) ซึ่งมากกว่า 8 Gb GDDR5 ที่ทำงานที่ 8 Gbps อยู่สองเท่าเลยทีเดียว

ด้วยนวัตกรรมการออกแบบให้ใช้พลังงานน้อยทำให้ GDDR6 นั้นทำงานที่ 1.35V ซึ่งทำให้ลดการใช้พลังงานลงถึง 35 % เมื่อเทียบกับ GDDR5 ซึ่งทำงานที่ 1.55V โดยกระบวนการผลิตที่ 10nm สำหรับ 16 Gb GDDR6 นั้นจะสามารถผลิตชิปได้มากขึ้น 30 % เมื่อเทียบกับ 20 nm 8Gb GDDR5

สำหรับการผลิต GDDR6 Samsung ที่มาก่อนใครนั้นจะสามารถนำตลาด next-generation และระบบต่างๆ ด้วยความจุและประสิทธิภาพที่สูงและประหยัดพลังงาน ซึ่งจะทำให้ 16Gb GDDR6 นั้นมีการใช้งานอย่างกว้างขวาง เช่นในการประมวลผล 8K Ultra HD video , virtual reality (VR), augmented reality (AR) และ A.I. (Artificial Intelligence)

ด้วย graphic memory lineup ที่ครอบคลุมถึง 18 Gbps ชิป 16 Gb GDDR6 และ 2.4 Gbps 8GB HBM2 ที่ทาง Samsung ผลิตนั้นคาดว่าจะช่วยเร่งการเติบโตสำหรับตลาด premium memory ไปอีกหลายปี

ที่มา Samsung ผ่านทาง Techpowerup

Share This:

1K ผู้เข้าชม

Memory Chip มีราคาลดลงในไตรมาสที่ 4 ปี พ.ศ. 2560 ที่ผ่านมา

 

รอยเตอร์รายงานว่ามีการลดลงของราคาชิปหน่วยความจำในไตรมาสที่ 4 ของปีพ.ศ. 2560 ถึง 5% ทำให้คาดการณ์รายได้และผลกำไรของผู้ลงทุนที่อาจชะลอลงถึง 5% ซึ่งอาจดูไม่ค่อยมากเท่าไหร่นักเมื่อดูที่การเพิ่มขึ้นของราคาเดิมของหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นเกือบเท่าตัวของหน่วยความจำชนิด DDR4 สามารถดูได้จากกราฟ PC Part Picker ด้านล่าง สำหรับโมดูลราคาหน่วยความจำนี้ไม่อาจรวมถึงการลดลง 5% ของราคาหน่วยความจำที่ขายในตลาดผู้ใช้งาน แต่สำหรับนักลงทุนแล้วถือว่ามีความสำคัญอยู่สำหรับการทำกำไรในอนาคต

การลดราคาลง 5% นี้ช่วยให้นักวิเคราะห์ประเมินประมาณการกำไรของปี พ.ศ. 2561 และคาดว่าอัตราการเติบโตของอุตสาหกรรมหน่วยความจำจะลดลงกว่าครึ่งปีนี้เหลือเพียง 30 % เพราะว่าอัตราการเติบโตจะเป็น 30 % แทน 60 % ซึ่งนำไปสู่ปฏิกิริยาจากนักลงทุนและตลาดหุ้นสำหรับผู้ผลิตหน่วยความจำโดยรวมแม้ว่ามูลค่าหุ้นของ Samsung จะลดลง 7.5% เมื่อสัปดาห์ที่แล้วขณะที่ SK Hynix ปรับตัวลดลง 6.2% แต่ความต้องการตลาด DRAM ในกลุ่มสมาค์โฟนกลับเพิ่มขึ้นอีก 38 % จากไตรมาสที่สองของปี พ.ศ.2559 ขณะที่กลุ่ม NAND ก็มีอัตราความต้องการเพิ่มขึ้นกว่า 84 % ตามการวิเคราะห์โดย BNP Paribas (รอยเตอร์)

นักวิเคราะห์ของบริษัท Macquarie ประเมินว่าอัตรากำไรจากการดำเนินงานของกลุ่มชิปของ Samsung จะเพิ่มขึ้นเป็น 47% ในปีที่แล้วจาก 26.5% ในปี พ.ศ.2559 และจะเพิ่มขึ้นอีก 55.5% ในปีนี้ นายมูราโนผู้อำนวยการฝ่ายการตลาดของ Nomura กล่าวว่าผู้ผลิต DRAM จะเร่งสร้างการผลิต/การลงทุนในการผลิตเพิ่มเป็นสี่เท่าในปี พ.ศ.2560 และ พ.ศ.2561 รวมมูลค่าอยู่ที่ 38 พันล้านดอลลาร์จาก ปีพ.ศ. 2560 ซึ่งอาจทำให้ในช่วงปี พ.ศ. 2560 ราคาอาจมีการปรับลดลงได้ถึง 18% ในปีหน้า

ความต้องการที่มากดังกล่าวจะช่วยให้อุตสาหกรรมมีอัตรากำไรที่ดีขึ้นในปีนี้และการลงทุนในเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูงของผู้ผลิตชิปหน่วยความจำ จะช่วยลดต้นทุนการผลิตและให้ผลกำไรอย่างต่อเนื่องแม้ในยามที่ราคามีการปรับลดลงนักวิเคราะห์กล่าว

ที่มา : techpowerup

Share This:

523 ผู้เข้าชม

Samsung เริ่มผลิตหน่วยความจำ HBM2 ขนาด 8 GB ความเร็ว 2.4 Gbps

 

บริษัทซัมซุงอิเลคโทรนิคส์จำกัด ผู้นำด้านเทคโนโลยีการผลิตหน่วยความจำขั้นสูงประกาศว่าได้เริ่มสำหรับการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง 8 GB รุ่นที่ 2 (HBM2) ด้วยความเร็วในการรับส่งข้อมูลที่เร็วที่สุด ณ.วันนี้ ด้วยโซลูชั่นใหม่ในชื่อ Aquabolt ซึ่งเป็น HBM2 ตัวแรกของวงการอุตสาหกรรมที่ให้ความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูล 2.4 Gigabit/s (Gbps)

“เมื่อเราได้ผลิต HBM2 ขนาด 8 GB ความเร็ว 2.4 Gbps เป็นอันดับแรกในตลาดแล้ว เรายังเสริมสร้างความเป็นผู้นำด้านเทคโนโลยีและขยายความสามารถในการแข่งขันทางการตลาดของเราอีกด้วย” Jaesoo Han รองประธานอาวุโสฝ่ายขายและการตลาดหน่วยความจำของซัมซุงอิเลคโทรนิคส์กล่าว “เราจะยังคงพัฒนาหน่วยความจำของเราในตลาด DRAM โดยมั่นใจได้ว่า HBM2 จะมีเสถียรภาพทั่วโลกตามระยะเวลาของการเปิดตัวของระบบในยุคอนาคตที่ได้ถูกกำหนดไว้โดยลูกค้าของเรา”

HBM2 8GB ใหม่ของซัมซุงจัดได้ว่ามีประสิทธิภาพสูงสุดในการทำงานของ DRAM ด้วยความเร็วในการส่งข้อมูล 2.4 Gbps ใช้พลังงาน 1.2V ซึ่งจะทำให้ได้รับการปรับปรุงประสิทธิภาพเกือบ 50% เมื่อเทียบกับ HBM2 8 GB รุ่นแรกของบริษัทที่มีรุ่น 1.6 Gbps @1.2V และ 2.0 Gbps @1.35V

ด้วยการปรับปรุงเหล่านี้ HBM2 8GB ของซัมซุงจะมี Bandwidth 307 Gigabytes/Second (GBps) ทำให้สามารถรับส่งข้อมูลได้เร็วกว่าชิป GDDR5 8 Gigabits/Second (Gb) ซึ่งมี Bandwidth เพียง 32 GBps การใช้งานหน่วยความจำ HBM2 ใหม่จำนวน4 ชุดในระบบจะช่วยให้มีแบนด์วิดท์มหาศาล 1.2 Terabytes/Second (TB/s) ซึ่งจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมของระบบได้มากถึงถึง 50 % เมื่อเทียบกับระบบที่ใช้หน่วยความจำ HBM2 รุ่นแรกที่มีความเร็วเพียง 1.6 Gbps

Aquabolt ของซัมซุงยังช่วยขยายความเป็นผู้นำในการเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำพรีเมี่ยม (DRAM) นอกจากนี้ซัมซุงจะยังคงนำเสนอรูปแบบใหม่ของ HBM2 หลังจากที่ประสุบผลสำเร็จในหน่วยความจำรุ่นที่ 1 HBM2 Flarebolt และรุ่นที่ 2 Aquabolt นี้ต้องการที่จะเป็นการขยายตลาดต่อไปในอีกหลายปีข้างหน้า

เพื่อให้บรรลุงานที่เป็นประวัติการณ์ของ HBM2 Aquabolt ซัมซุงได้ใช้เทคโนโลยีใหม่ในการออกแบบและการควบคุมความร้อนของ TSV ทำให้แพคเกจ HBM2 ขนาด 8GB ประกอบด้วยชั้นมากถึง 8 ชั้น HBM2 ในขนาด 8Gb ซึ่งเชื่อมต่อกันในแนวตั้งมากกว่า 5,000 TSV (ผ่าน Silicon Via’s) ในขณะที่ใช้ TSV จำนวนมากอาจทำให้เกิดการบิดเบือนสัญญาณนาฬิกาที่เป็นสาระสำคัญซึ่งซัมซุงได้ประสบความสำเร็จในการย่อขนาดให้อยู่ในระดับที่ต้องการและช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของชิปในขั้นตอนนี้ได้

นอกจากนี้ซัมซุงยังเพิ่มจำนวนการส่งผ่านความร้อนระหว่าง HBM2 Dies ซึ่งช่วยให้สามารถควบคุมอุณหภูมิได้ดีขึ้นในแต่ละแพ็คเกจนอกจากนี้ HBM2 ในรุ่นใหม่นี้ยังมีชั้นป้องกันเพิ่มขึ้นที่ด้านล่างซึ่งจะช่วยเพิ่มความแข็งแรงทางกายภาพโดยรวมของแพ็กเกจ

เพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับ DRAM HBM2 ซึ่งประสิทธิภาพสูง ซัมซุงได้เพิ่มกำลังผลิต Aquabolt ให้แก่ลูกค้าไอทีทั่วโลกในอัตราที่เพียงพอต่อความต้องการและยังคงพัฒนาเทคโนโลยีในการผลิตหน่วยความจำอย่างต่อเนื่องร่วมกับบริษัทชั้นนำในหลากหลายสาขา และการนำไปใช้หน่วยประมวลผลกราฟิก

ที่มา : techpowerup

Share This:

1.5K ผู้เข้าชม

RAM DDR4 Gen2 Samsung C-die 8 Gb 3600MHz ผลิตด้วยเทคโนโลยี 10nm

 

Samsung ได้ออกมากล่าวว่าได้ริเริ่มการผลิตชิปหน่วยความจำ DDR4 ในจำนวนมากโดยใช้กระบวนการผลิตขนาด 10 nm Gen 2 ด้วยเทคโนโลยีการผลิตใหม่จะช่วยให้ลดขนาดชิพของ DRAM เล็กลงและช่วยเพิ่มประสิทธิภาพมากขึ้นและใช้พลังงานน้อยลง เมื่อได้การทำตามกระบวนการดังกล่าวทำให้ต้องมีการออกแบบวงจรใหม่ ทำให้เป็นครั้งแรกในอุตสาหกรรม DRAM ที่ชิปวงจรสามารถทำงานที่ความเร็ว 3600 Mbit/s (DDR4-3600) ที่แรงดันไฟฟ้ามาตรฐานของ DDR4 ที่ 1.2v สำหรับตอนนี้ได้รับการส่งมอบไปเพื่อทดสอบกับผู้ผลิต CPU รายใหญ่แล้วเพื่อตรวจสอบประสิทธิภาพ

DDR4 ของ Samsung รุ่นใหม่ที่ผลิตโดยใช้กระบวนการผลิต 10nm (1y nm ตามการเรียกของ Samsung) จะมีความจุเริ่มต้นที่ 8 GB และรองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลเร็วถึง 3600 MT/s ที่ 1.2 โวลต์ โดยที่ DRAM รุ่นใหม่นี้จะทำงานเร็วกว่ารุ่นก่อน 12.5% ​​(เรียกว่า Samsung C-die) และมีการอ้างว่าสามารถจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้นถึง 15% เช่นกัน

Samsung ให้ข้อมูลเพิ่มเติมอีกว่า DDR4 3200MHz 8GB รุ่นใหม่นี้มีอัตราการผลิตประมาณ 30% เมื่อเปรียบเทียบกับชิปที่ทำมาก่อนหน้า ซึ่งอาจเพราะว่าการลดขนาดการผลิตลงทำให้เวเฟอร์หนึ่งแผ่นสามารถผลิตได้จำนวน DRAM มากขึ้นแต่ไม่ได้หมายความว่าค่าใช้จ่ายในการผลิตจะลดลงด้วย

เป็นที่น่าสังเกตว่า DRAM C-die ของ Samsung จะยังไม่ได้ใช้โดยบริษัทต่างๆเช่น Corsair หรือ G.Skill สำหรับผลิตหน่วยความจำระดับแนวหน้าของบริษัทให้ผู้ใช้งาน ซึ่งจะพบได้ว่าทั้งสองบริษัทยังคงใช้เทคโนโลยี Samsung B-die ที่ใช้เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 20 nm ซึ่งในตอนนี้ยังไม่รู้ว่าจะมีการเลือกใช้งาน 1y nm ที่เป็นหน่วยความจำชนิด DDR4 8 Gb นี้หรือหรือไม่และเมื่อใด

สำหรับทาง Intel, AMD, IBM, Qualcomm ฯลฯ ได้มีการนำหน่วยความจำ DDR4-3600 8 Gb ที่ถูกพัฒนามาใหม่นี้ไปทดสอบกับผลิตภัณฑ์ของตนเองเพื่อหาความเข้ากันได้ ซึ่งน่าจะเห็นได้จากการที่มีการวาง ICs 8 Gb ในโมดูล SO-DIMM ซึ่งจะมีการใช้งานบนโน๊ตบุ๊คก่อนเป็นลำดับแรกๆ ซึ่งก็คาดว่าจะมีการใช้งานบนเดสท๊อปด้วยจากการที่มีการเผยแพร่ข้อมูลของ DIMM และ SO-DIMM ออกมาก่อนหน้านี้

นอกเหนือจากการประกาศเปิดตัว DDR4 DRAM 8 Gb แล้วซัมซุงยังกล่าวอีกว่าจะผลิตชิพหน่วยความจำเพิ่มขึ้น (ไม่เพียงแค่ DDR4 เท่านั้นแต่รวมถึง DRAM สำหรับมือถือด้วย) โดยใช้กระบวนการผลิตขนาด 10 nm เพื่อตอบสนองความต้องการสำหรับ DRAM ที่มีอยู่มากในขณะนี้

ที่มา : anandtech

Share This:

1.3K ผู้เข้าชม

AMD เตรียมสนับสนุนการทำงาน GDDR6 กับ GPU ในรุ่นถัดไป

 

Daehyun Jun สมาชิกหลักทีมเทคนิคของ AMD ได้ให้ข้อมูลว่าเขากำลังทำตัวควบคุมการทำงาน DRAM สำหรับหน่วยความจำชนิด GDDR6 ขณะนี้มีการเชื่อมโยงกันและในตอนนี้มีการกล่าวถึง “DRAM Controller” ซึ่งการเปลี่ยนแปลงครั้งนี้อาจเนื่องมาด้วยหน่วยความจำชนิด HBM ที่มีราคาสูงและผลิตได้ยาก ดังที่เห็นได้จาก R9 Fury และ RX VEGA ดังนั้นจึงไม่น่าแปลกประหลาดใจที่ AMD มีแนวโน้มที่จะใช้เทคโนโลยีที่ถูกกว่าอย่าง GDDR6 ที่จะนำมาใช้กับ GPU ของ AMD ซึ่งจะทำให้กราฟฟิกการ์ดสามารถเข้าสู่ตลาดได้มากขึ้น

GDDR6 มีศักยภาพในการเพิ่มแบนด์วิดท์ได้ถึง 2 เท่าเมื่อเทียบกับหน่วยความจำขนาด 8 Gbps ในปัจจุบันที่ใช้กับ GeForce GTX 1070 Ti ถือว่าเป็นข่าวดีที่จะมีการใช้งาน GDDR6 อันด้วยความเร็วที่มากกว่าเดิมรวมถึงการใช้พลังงานทางไฟฟ้าที่น้อยลง ซึ่งจะทำให้ประสิทธิภาพดูดีขึ้นจากที่มีอยู่ในปัจจุบันไม่ว่าจะเป็น Radeon RX 480, GeForce GTX 1070 ที่มีแบนด์วิดท์ 7 และ 8 Gbps รวมถึง GDDR5X บน GTX 1080 ซึ่งมีแบนด์วิดท์ 10 หรือ 11 Gbps

เรารู้ว่ามีโอกาสเกิดขึ้นในคลื่นลูกต่อไปของกราฟิกการ์ดและยังใช้แรงดันไฟฟ้าน้อยลงและสามารถเพิ่มแบนด์วิดท์ได้เป็นสองเท่าตามความเป็นจริงในหน่วยความจำ GDDR5 gen ปัจจุบัน หากต้องการเปรียบเทียบหน่วยความจำ GDDR5 ปัจจุบันกับหน่วยความจำ GDDR5 เพียงเล็กน้อยนั่นคือ Radeon RX 480 / GeForce GTX 1070 ประมาณ 7 หรือ 8 Gbps และ GDDR5X บน GTX 1080 สามารถทำ 10 หรือ 11 Gbps

GDDR6 จะถูกนำมาแทนที่ GDDR5X จะมีแบนด์วิดท์รวมประมาณ 14 ถึง 16 Gbps ซึ่งนั่นหมายถึงว่าแบนด์วิธจะเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าของแบนด์วิดท์ปัจจุบัน และหน่วยความจำจะมีความถี่ของสัญญาณนาฬิกาที่สูงขึ้น การใช้พลังงานของ GDDR6 ที่ถูกกำหนดขึ้นมาใหม่จะมีการใช้พลังงานที่ 1.35 โวลต์ตรงกันกับ GDDR5x

นอกจาก Samsung แล้วยังจะมี SK Hynix และ Micron ก็กำลังดำเนินการผลิต GDDR6 ร่วมด้วย

ที่มา : guru3d

Share This:

387 ผู้เข้าชม

Samsung เปิดไลท์การผลิต Generation 2 10nm FinFET

 

Samsung ได้เพิ่มโหนดการผลิต LPP (Low Power Plus) ขนาด 10nm รุ่นใหม่เข้าสู่กระบวนการผลิตเป็นจำนวนมากเพื่อการส่งมอบผลิตภัณฑ์ที่ถูกผลิตขึ้นในยุคของ 10 nm ซึ่งมีกำลังการผลิตเพียงพอเพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดมือถือ

โหนดการผลิตนี้ให้สมรรถนะที่เหนือกว่าและประสิทธิภาพการใช้พลังงานมากกว่าโหนด 10 nm รุ่นแรกของบริษัทด้วยเทคโนโลยี LPP 10nm ให้ประสิทธิภาพสูงกว่า 10nm LPE (Low Power Early) 10% ด้วยการใช้พลังงานในปริมาณเท่ากันหรือเมื่อประสิทธิภาพที่เท่ากันนั้นจะใช้พลังงานน้อยกว่า 15% ของการใช้เทคโนโลยี 10nm ที่มีอยู่เดิมทำให้ Samsung ตอนนี้สามารถพัฒนาโหนดการผลิตใหม่ขึ้นมาซึ่งให้ประสิทธิภาพที่ดีกว่า LPE 10nm ซึ่งถือเป็นข่าวดีสำหรับผู้ที่ต้องการใช้บริการของ Samsung Foundry

Samsung วางแผนที่จะพัฒนาโหนด 10nm ต่อไปเพื่อสร้างโหนดการผลิตขึ้นมาใหม่ซึ่งจะถูกเรียกว่า LPN 8nm ด้วยการประกาศครั้งนี้ทำให้เชื่อมันได้ว่าจะมีการเพิ่มกำลังการผลิตในโรงงานผลิต S3 แห่งใหม่ของบริษัทซึ่งตั้งอยู่ที่เมือง Hwaseong ประเทศเกาหลีใต้ที่จะมาพร้อมเทคโนโลยีต่างๆ ได้แก่ โหนดกระบวนการผลิต 10nm และในอนาคตซัมซุงยังวางแผนที่จะสร้างกระบวนการผลิต Finnfone 7nm ซึ่งจะทำให้ในยุคหน้าโรงงาน S3 ซึ่งเป็นโหนดการผลิตแรกของบริษัทที่ใช้เทคโนโลยี Extreme Ultra Violet (EUV)

ที่มา : overclock3d

Share This:

2.1K ผู้เข้าชม

Samsung เปิดตัว Z-NAND SZ985 คู่ต่อสู้ Intel Optane

 

Samsung ได้เปิดตัวเกี่ยวกับ SSD แบบ Z-NAND ในรุ่น SZ985 series ซึ่งเป็นผลิตภัณฑ์ที่ออกแบบมาเพื่อต่อสู้กับ Intel Optane โดยตรง ปัญหาที่พบเจอสำหรับการทำงานเกี่ยวกับคอมพิวเตอร์ส่วนมากความล่าช้านั้นจะมาจากอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลเป็นส่วนมาก เพราะเป็นอุปกรณ์ที่มีความเร็วน้อยที่สุด ซึ่งนับว่าเป็นอุปสรรคที่พบเจอได้บ่อย รวมถึงพื้นที่เก็บข้อมูลที่มีต้องใช้ในจำนวนมาก เมื่อมีการโอนถ่ายข้อมูลมักจะเกิดปัญหาความล่าช้าซึ่งอุปกรณ์ที่รวดเร็วอย่าง NAND ก็เข้ามาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและแก้ไขปัญหาของระบบได้เป็นอย่างดี

หน่วยความจำ Optane/Xpoint ของ Intel ถูกออกแบบมาเพื่อรับมือกับปัญหาของประสิทธิภาพของ SSD โดยตรงซึ่งทาง Samsung ก็ได้ทำการออก Z-NAND รุ่นใหม่ออกแบบมาเพื่อแก้ไขปัญหาดังกล่าวเช่นกับซึ่งนอกจากจะมาแก้ไขปัญหาข้างต้นแล้วยังเน้นที่ประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยมในราคาที่ต่ำกว่า Optane/Xpoint จาก Intel

ด้วยความสามารถในการอ่านและเขียนข้อมูลระดับ 3.2 GB/s ของ SZ985 จาก Samsung ทำให้สามารถตอบสนองการอ่าน/เขียนได้อย่างรวดเร็วถึง 750,000/170,000 IOPS ทำให้ Z-NAND มีประสิทธิภาพในการเข้าถึงข้อมูลมากกว่า NVMe ถึง 5.5 เท่าซึ่งจะช่วยให้สามารถรับส่งข้อมูลได้รวดเร็วยิ่งขึ้น

Samsung Z-NAND ถูกจัดให้มีประสิทธิภาพในระดับเดียวกันกับ Optane ของ Intel ที่เป็นอุปกรณ์สำหรับจัดเก็บข้อมูล ในขณะที่ถูกวางราคาไว้ต่ำกว่ามาก ซึ่งจะทำให้อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล Optane ของ Intel นั้นน่าสนใจน้อยลงแต่ว่า Optane ยังมีคุณสมบัติที่ดีกว่าในแง่ของ Latency และ IOPS

เทคโนโลยี Z-NAND ใหม่จาก Samsung ถูกกำหนดให้มีประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นอย่างมากแต่ราคานั้นไม่สูงมาก ซึ่งถ้าดูแล้ว Optane/XPoint จาก Intel ยังคงเป็นเทคโนโลยีที่เหนือกว่า Z-NAND จาก Samsung แต่ถ้ามีการปรับปรุงนั้นอาจจะเทียบชั้นกับ Optane/XPoint ได้ในอนาคตเพื่อรักษาตลาด NAND ของตนเองต่อไป

ที่มา : overclock3d

Share This: