533 ผู้เข้าชม

SK Hynix เผย! ชิป 8Gb GDDR6 Memory พร้อมวางจำหน่ายแล้ว

 

SK Hynix หนึ่งในผู้ผลิต DRAM และ NAND flash ที่ใหญ่กว่า Samsung ได้ออกมาอัพเดทตัว แคตาล็อคของผลิตภัณฑ์ DRAM ว่าได้ทำการเปิดขายตัวชิป 8-gigabit (1 GB) GDDR6 โดยทางบริษัทนั้นแบ่งชิปเป็น 4 รุ่น ได้แก่ “H56C8H24MJR-S2C” ที่ความเร็ว 14 Gbps และ 12 Gbps ส่วนอีกรุ่นนั้นก็คือ “H56C8H24MJR-S0C” ที่ความเร็ว 12 Gbps และ 10 Gbps

สำหรับชิป S2C นั้นจะประหยัดพลังงานกว่าโดยให้ความเร็วที่ 14 Gbps ที่ 1.35V และ 12 Gbps ที่ 1.25V ในขณะที่ S0C ให้ความเร็วที่ 12 Gbps ที่ 1.35V และ 10 Gbps ที่ 1.25V. ถ้าหากว่าทาง NVIDIA ตัดสินใจที่จะใช้ชิปเหล่านี้กับการ์ดจอที่จะมาแทน GTX 1080 โดยให้ memory มาที่ 16 GB แล้วล่ะก็ควรที่จะเข้ามาในตลาดชิป 8 Gb (1 GB) GDDR6 .

ในขณะที่ทาง Samsung ก็ออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตชิป 16 Gb (2 GB) GDDR6 memory ในแบบ mass-production ซึ่งจะให้ความจุสูงถึง 16 GB ในแบบ 256-bit memory interface หรือ 8 GB ในแบบ 128-bit interface โดยชิปตัวล่าสุดของ Samsungนั้นให้ความจุสูงกว่าทาง SK Hynix เท่าตัว แถมแรงกว่าโดยให้ความเร็วสูงถึง 18 Gbps ด้วย voltage ที่ 1.35V ซึ่งมีการคาดการณ์เป็นอย่างกว้างขวางว่า GDDR6 นั้นจะมาเป็นมาตรฐานหลักของ memory ของการ์ดจอที่จะวางจำหน่ายในปีนี้และปีหน้าในระดับ entry, mainstream และ high-end

คาดกันว่าทาง NVIDIA นั้นจะหันมาใช้ GDDR6 เพื่อใช้กับชิปกราฟฟิค “Volta” สำหรับตลาด consumer นั่นเอง

ที่มา SKHynix ผ่านทาง Techpowerup

Share This:

1.5K ผู้เข้าชม

Samsung เปิดตัว 16-Gigabit GDDR6 Memory เป็นเจ้าแรก

 

Samsung Electronics Co., Ltd. ผู้นำในด้านเทคโนโลยีการผลิตชิป memory ได้ออกมาประกาศเริ่มการผลิต ชิป 16-gigabit (Gb) GDDR6 (Graphics Double Data Rate 6) ในแบบ mass production เป็นเจ้าแรกในอุตกรรมผลิตชิป ที่ใช้การชิปกราฟฟิคสำหรับเครื่องเล่นเกม และการ์ดจอ รวมถึงชิปที่ใช้ในยานยนต์ , network และ ระบบ A.I. (Artificial Intelligence system)

 GDDR6

“การเริ่มผลิต 16 Gb GDDR6 เป็นเจ้าแรกของอุตสาหกรรมนี้จะทำให้เราสามารถ DRAM ที่ครอบคลุมกราฟฟิค line-up ที่ประสิทธิภาพสูงสุดและมีความจุที่สูงขึ้นในเวลาที่เหมาะสม”  Jinman Han รองประธานอาวุโสฝ่ายวางแผนผลิตภัณฑ์ Memory และ วิศวกรรม Application ของ Samsung Electronics กล่าว “ด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ next-generation GDDR6 นั้นจะทำให้ตลาด gaming และการ์ดจอแข็งแกร่งขึ้น และเติบโตขึ้นเพื่อรองรับความต้องการของ advanced graphics memory ในตลาดยานยนต์และระบบ network ”

โดยตัวชิปนั้นนั้นผลิตด้เวยเทคโนโลยีการผลิตของ Samsung ที่ 10-nanomter (nm) ทำให้ GDDR6 memory นั้นมีความจุที่ 16 Gb (2 GB) ซึ่งมากกว่าชิป memory ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 20-nanometer ที่ความจุ 8 Gb สำหรับ GDDR5 memory โดยโซลูชั่นใหม่นี้จะทำความเร็วได้ที่ 18-gigabits-per-second (Gbps) สามารถรับส่งข้อมูลได้ที่ 72 gigabytes per second (GBps) ซึ่งมากกว่า 8 Gb GDDR5 ที่ทำงานที่ 8 Gbps อยู่สองเท่าเลยทีเดียว

ด้วยนวัตกรรมการออกแบบให้ใช้พลังงานน้อยทำให้ GDDR6 นั้นทำงานที่ 1.35V ซึ่งทำให้ลดการใช้พลังงานลงถึง 35 % เมื่อเทียบกับ GDDR5 ซึ่งทำงานที่ 1.55V โดยกระบวนการผลิตที่ 10nm สำหรับ 16 Gb GDDR6 นั้นจะสามารถผลิตชิปได้มากขึ้น 30 % เมื่อเทียบกับ 20 nm 8Gb GDDR5

สำหรับการผลิต GDDR6 Samsung ที่มาก่อนใครนั้นจะสามารถนำตลาด next-generation และระบบต่างๆ ด้วยความจุและประสิทธิภาพที่สูงและประหยัดพลังงาน ซึ่งจะทำให้ 16Gb GDDR6 นั้นมีการใช้งานอย่างกว้างขวาง เช่นในการประมวลผล 8K Ultra HD video , virtual reality (VR), augmented reality (AR) และ A.I. (Artificial Intelligence)

ด้วย graphic memory lineup ที่ครอบคลุมถึง 18 Gbps ชิป 16 Gb GDDR6 และ 2.4 Gbps 8GB HBM2 ที่ทาง Samsung ผลิตนั้นคาดว่าจะช่วยเร่งการเติบโตสำหรับตลาด premium memory ไปอีกหลายปี

ที่มา Samsung ผ่านทาง Techpowerup

Share This:

585 ผู้เข้าชม

Toshiba พร้อมทุ่มทุนกว่า 7 พันล้านเยนสำหรับสร้างโรงงานผลิต Semiconductor

 

ทาง Toshiba Corporation นั้นได้ออกมาประกาศว่าเตรียมเดินหน้าสร้างโรงงานผลิต memory ที่เมือง คิตะคามิ จังหวัดอิวาเตะ โดยบริษัทลูกอย่าง Toshiba Memory Corporation (TMC)นั้นจะดำเนินการสร้างโรงงานโดยใช้เงินทุนไปกว่า 7 พันล้านเยนซึ่งจะสร้างในปีงบประมาณนี้โดยโรงงานดังกล่าวได้มีการประกาศสร้างในวันที่ 6 กันยายนที่ผ่านมา ซึ่งโรงงานนี้จะผลิต BiCS Flash, flash memory ของ TMC และถือได้ว่าเป็นโรงงานที่ 7 ของทาง TMC

เนื่องจากความต้องการในตลาดนั้นมีสูงขึ้นอย่างต่อเนื่องสำหรับ flash memory ทั้งจาก data centers และ enterprise server ทำให้ TMC ต้องขยายฐานการผลิต memory ในเมือง โยคไคชิ ในจังหวัดมิเอะ เพิ่มซึ่งโรงงานที่ 6 ก็อยู่ระหว่างก่อสร้างและจะแล้วเสร็จในปลายปีหน้า ซึ่ง TMC นั้นมองเห็นถึงความก้าวหน้าในภายภาคหน้าและจะมุ่งหน้าไปสู่การทำ 3D flash memory clean room เพื่อให้พอต่อความต้องการ โดย TMC นั้นจะซื้อที่ดินเพื่อมาสร้างโรงงาน และเตรียมไซต์งานในเดือน กุมภาพันธ์ ปีหน้าและในเวลาเดียวกันก็จะสร้างอุปกรณ์และเครื่องมือต่างๆให้พร้อมใช้ในโรงงานสำหรับโรงงานในเมือง คิตะคามินั้นจะเริ่มในปีงบประมาณถัดไป ในทันกับการเปลี่ยนแปลงของตลาด ซึ่ง TMC นั้นจะเปิดบริษัทใหม่ได้แก่ Toshiba Memory Iwate Corporation เพื่อจัดการในส่วนของ start-up และ operation ของตัวโรงงาน

ที่มา Tom’s Hardware

Share This:

2.6K ผู้เข้าชม

Colorful เปิดตัว SSD ราคาถูก สามรุ่นสามรส

วันนี้ทาง Colorful ก็ได้ออกมาเปิดตัวไลน์สินค้า SSD รุ่นราคาประหยัดอย่าง  CN600 series,  CN500 series และ SL500 series

โดย CN600 series นั้น built in  มาใน M.2-2280 form-factor ที่รองรับ PCI-Express 3.0 x2 โดยมีตัวระบายความร้อนอยู่บนตัว controller และ ชิบ NAND flash ส่วน CN500 นั้น built มาใน M.2-2280 form-factor รองรับ SATA 6 Gbps  ในขณะที่ SL500 นั้นมาในแบบ drive 2.5 นิ้ว ที่มีความหนา 7 มิลลิเมตร เชื่อมต่อด้วย interface SATA 6 Gbps โดยทั้งสามรุ่นนั้นมีความจุอยู่ที่ 240 GB

สำหรับ drive ตัว CN600 series เป็นการรวมเอา Realtek RTS5760 controller เข้ากับ TLC NAND flash memory โดยให้ sequential transfer speed สูงสุดถึง 800 MB/s เขียนข้อมมูลได้เร็วสูงสุด 700 MB/s และมี IOPS random read อยู่ที่ 50,000  ส่วน IOPS random write อยู่ที่ 100,000

ส่วน drive CN500 series นั้นนำเอา Silicon Motion SM2246EN controller มาจับคู่กับ MLC NAND flash ซึ่งมีค่า read ที่ความเร็วสูงสุด 530 MB/s และมีค่า write ที่ 250 MB/s ส่วน IOPS random read อยู่ที่ 70,000 และ IOPS random write อยู่ที่ 60,000

ตัวสุดท้ายอย่าง SL500 series นั้นนำเอา Silicon Motion SM2256 controller มาใช้ร่วมกับ TLC NAND flashโดยมีค่า read ที่ 530 MB/s และมีค่า write อยู่ที่ 450 MB/s นอกจากนี้ยังมี IOPS random access ที่ 80,000 แต่ทางบริษัทก็ยังไม่ได้แจ้งถึงราคาและวันวางจำหน่ายแต่อย่างใด

ที่มา Techpowerup

Share This:

1.2K ผู้เข้าชม

ราคาของ Memory ทำให้ Samsung ได้กำไรใน Q2 มากเป็นประวัติการณ์

ผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็คโทรนิครายใหญ่จากประเทศเกาหลีใต้อย่าง Samsung Electronics Co. Ltd. ออกมากล่าวเมื่อวันศุกร์ที่ผ่านมา (7 ก.ค. 2560) สามารถประเมินกำไรที่จะได้ใน Q2 ราวๆ 14 ล้านล้านวอน (ราวๆ 12,100 ล้านเหรียญสหรัฐ) อันเนื่องจากราคาของชิบ memory ที่เพิ่มสูงขึ้น

ทาง Samsung นั้นคาดว่าผลกำไรจะเพิ่มขึ้นถึง 72 % เมื่อเทียบกับ Q2 ของปี 2016 โดยคาดว่ายอดขายนั้นเพิ่มขึ้นราวๆ 60 ล้านล้านวอน (ราวๆ 52,000 ล้านเหรียญสหรัฐ) โดยเพิ่มขึ้นมา 18 % เมื่อเทียบกับปีที่แล้วในช่วงเวลาเดียวกัน

สำหรับราคาของชิบ Memory นั้นเพิ่มสูงขึ้นอันเนื่องจากปริมาณของ DRAM และ NAND flash memory ที่มีจำกัด ซึ่งผู้ผลิตอุปกรณ์ต่างก็ต้องขนาดความจุที่สูงขึ้น ซึ่งชิบสำหรับตัว Flash memory นั้นมีการใช้งานที่กว้างขวางขึ้น ทั้งในอุปกรณ์อิเล็คโทรนิคและ solid state drive ที่มีแนวโน้มในการบริโภคมากขึ้น

ข้อมูลจากทาง DRAMeXchange อ้างว่า ทีมวิจัยตลาดเหล่านี้ได้ทำการติดตามราคาของชิบ memory ซึ่งเมื่อ DRAM และ NAND นั้นขาดตลาดทำให้ทีมวิจัยคาดว่าราคาของ DRAM นั้นจะสูงขึ้นอีก 5 % ใน Q3 ในขณะที่ราคาของชิบ NAND จะเพิ่มขึ้นอีก 20 ถึง 25 ใน Q1

โดย Samsung ได้ออกมาแจ้งก่อนหน้านี้ว่ามีแผนที่จะลงทุนเพิ่ม $18,600 ล้านในส่วนของ semiconductor และ display (น่าจะหมายถึงจอภาพต่างๆ) โดยมีโรงงานผลิตในเมือง Pyeongtaek ของเกาหลีใต้ที่จะเริ่มผลิตในแบบ mass production และส่งมอบผลิตภัณฑ์ตัวแรกให้ลูกค้าได้ตามกำหนด

นักสำรวจตลาดคาดว่า ราคาของ memory ที่สูงขึ้นในปี 2017 จะทำให้ Samsung นั้นขึ้นเป็นอันดับ 1 แทนที่ Intel Corp. ในด้านการขาย semiconductor ซึ่งทาง Intel นั้นเป็นอันดับ 1 มากว่าสองทศวรรษแล้ว

ที่มา EETIMES

Share This:

1.4K ผู้เข้าชม

NAND flash ที่จะใช้ใน iPhone รุ่นใหม่ ชักจะไม่พอต่อการผลิต

ที่ผ่านมานั้น SK Hynix และ Toshiba ประสบปัญหาเรื่อง yield ในการผลิตของเทคโนโลยีการ 3D NAND โดยแหล่งข่าวด้านอุตสาหกรรมอ้างว่ามี supplier สำหรับ Apple เพียงไม่กี่เจ้าในปี 2017 สำหรับผลิต iPhone โดยที่ปริมาณของ ชิบ NAND flash ที่จะนำมาใช้ใน iPhone สำหรับอุปกรณ์ต่างๆนั้นเริ่มขาดตลาด ไปราวๆ 30%

โดย Apple นั้นจำต้องหันไปใช้บริการจากทาง Samsung เพื่อให้ได้ชิบ NAND มากพอสำหรับโทรศัพท์ เมื่อทาง Samsung เริ่มมี yield การผลิตที่ใช้เทคโนโลยี 3D NAND ที่ดีและมั่นคงมากขึ้น ทำให้ผลิตทำให้สเกลการผลิตชิบ 3D NAND สูงขึ้น

ซึ่งผู้ผลิตโทรศัพท์มือถือที่ใช้ระบบปฏิบัติการ Android นั้นก็เตรียมออกมือถือตัวเรือธงรุ่นใหม่ แต่ในเมื่อ supplier ที่ผลิต NAND flash เจ้าใหญ่ๆยังมี yield ที่ค่อยดีนักสำหรับ เทคโนโลยี 3D NAND ซึ่งปริมาณชิบ NAND flash ที่เหลืออยู่จนถึงช่วงสิ้นปี 2017 ก็มีไม่มากนัก

ผู้ผลิตรายใหญ่ๆอย่าง Samsung, Toshiba และ Micron Technology นั้นก็เตรียมเปลี่ยนไปใช้การผลิต 3D NAND flash ที่ 64 layer ในขณะที่ทาง SK Hynix นั้นจะเปลี่ยนไปใช้ชิบ 3D NAND flash แบบ 72 layer แทน

ที่มา Digitimes

Share This: