298 ผู้เข้าชม

GeIL Super Luce RGB SYNC Gaming Memory ไฟสวยๆ ก็มาแล้ว

 

หนึ่งในผู้ผลิตอุปกรณ์คอมพิวเตอร์ชั้นนำของโลก GeIL ได้ประกาศถึงการเปิดตัว Super Luce RGB Sync Gaming Memory Series ที่ออกมาสนับสนุนแอพพลิเคชันการควบคุมไฟของ ASUS AURA ให้ผู้ใช้สามารถปรับการแสดงผลของ RGB รวมถึงการการสนับสนุน Gigabyte Fusion and MSI Mystic Light ด้วยเช่นกัน

Geul Super Luce RGB Sync Gaming Memory Series ได้รับการออกแบบมาให้เข้ากันได้กับ Intel Core i7, i5 และ i3 รวมถึงซ็อคเก็ต AM4 ที่สนุนสนัน AMD Ryzen มีให้เลือกตั้งแต่ 2133 MHz ถึง 3200 MHz โดยการแสดงผล RGB นั้นไม่ต้องการต่อสายภายนอกแต่อย่างใด ซึ่งผู้ใช้งานสามารถปรับแต่งเอฟเฟกต์แสงแต่ละอย่างเพื่อให้ตรงกับเครื่องของผู้ใช้ได้ดียิ่งขึ้น

ที่มา : techpowerup

Share This:

512 ผู้เข้าชม

UnilC ที่จีนเริ่มต้นการผลิตหน่วยความจำชนิด DDR4 แล้ว

 

UnilC บริษัทผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ของจีนได้เริ่มแผนงานที่จะผลิตหน่วยความจำชนิด DDR4 จากการที่ Qimonda ได้เข้ามาดำเนินการฟื้นฟูกิจการในเดือนเมษายน พ.ศ.2552 ซึ่งในอดีตบริษัทเองได้ให้การผลิตหน่วยความจำชนิด SDR / DDR / DDR2 / DDR3 และล่าสุดได้ผลิต NAND flash ในปีพ. ศ. 2560 จนล่าสุดเมื่อถึงปลายปีที่แล้ว UnilC ได้พัฒนาเข้าสู่การผลิตหน่วยความจำชนิด DDR4 ซึ่งในตอนนี้ได้มีการเปิดเผยข้อมูลการผลิตในปี พ.ศ. 2561 ถึงโมดูลของหน่วยความจำชนิด DDR4 ผ่านเว็บไซต์ของบริษัท

DDR4 มีทั้ง SO-DIMM และ U-DIMM (Unbuffered DIMM)

  • U-DIMM ประกอบด้วย 3 รุ่นคือคือ “SCQ04GU03AF1C-21P”, “SCQ04GE03AF1C-21P” และ “SCQ08GU13AF1C-21P” ซึ่งในตอนแรกมีเพียงแบบชนิด 4GB 2 รุ่น ต่อมามีข้อมูลเพิ่มของขนาด 8GB อีก 1 รุ่น
  • SO-DIMM ประกอบด้วย 2 รุ่นคือ “SCQ04GS03AF1C-21P”, “SCQ08GS13AF1C-21P” ซึ่งมีความจุขนาด 4GB และ 8GB ตามลำดับ

ซึ่งหน่วยความจำทั้งสองรูปแบบจะใช้พลังงานที่ 1.2V มีความเร็ว 2,133MHz บนพื้นฐานของหน่วยความจำชนิด DDR4 โดยมีข้อมูลประกอบจาก CPU-Z ถึงหน่วยความจำในรุ่น SCQ08GU13AF1C-21P ขนาด 8GB ได้ปรากฎขึ้นบนเว็บไซต์ในวันที่ 24 กันยายน พ.ศ.2559 ซึ่งนั่นหมายถึงว่า UnilC อาจมีการพัฒนาผลิตภัณฑ์ตัวนี้มานานมากแล้ว

ที่มา : impress

Share This:

635 ผู้เข้าชม

SK Hynix เผย! ชิป 8Gb GDDR6 Memory พร้อมวางจำหน่ายแล้ว

 

SK Hynix หนึ่งในผู้ผลิต DRAM และ NAND flash ที่ใหญ่กว่า Samsung ได้ออกมาอัพเดทตัว แคตาล็อคของผลิตภัณฑ์ DRAM ว่าได้ทำการเปิดขายตัวชิป 8-gigabit (1 GB) GDDR6 โดยทางบริษัทนั้นแบ่งชิปเป็น 4 รุ่น ได้แก่ “H56C8H24MJR-S2C” ที่ความเร็ว 14 Gbps และ 12 Gbps ส่วนอีกรุ่นนั้นก็คือ “H56C8H24MJR-S0C” ที่ความเร็ว 12 Gbps และ 10 Gbps

สำหรับชิป S2C นั้นจะประหยัดพลังงานกว่าโดยให้ความเร็วที่ 14 Gbps ที่ 1.35V และ 12 Gbps ที่ 1.25V ในขณะที่ S0C ให้ความเร็วที่ 12 Gbps ที่ 1.35V และ 10 Gbps ที่ 1.25V. ถ้าหากว่าทาง NVIDIA ตัดสินใจที่จะใช้ชิปเหล่านี้กับการ์ดจอที่จะมาแทน GTX 1080 โดยให้ memory มาที่ 16 GB แล้วล่ะก็ควรที่จะเข้ามาในตลาดชิป 8 Gb (1 GB) GDDR6 .

ในขณะที่ทาง Samsung ก็ออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตชิป 16 Gb (2 GB) GDDR6 memory ในแบบ mass-production ซึ่งจะให้ความจุสูงถึง 16 GB ในแบบ 256-bit memory interface หรือ 8 GB ในแบบ 128-bit interface โดยชิปตัวล่าสุดของ Samsungนั้นให้ความจุสูงกว่าทาง SK Hynix เท่าตัว แถมแรงกว่าโดยให้ความเร็วสูงถึง 18 Gbps ด้วย voltage ที่ 1.35V ซึ่งมีการคาดการณ์เป็นอย่างกว้างขวางว่า GDDR6 นั้นจะมาเป็นมาตรฐานหลักของ memory ของการ์ดจอที่จะวางจำหน่ายในปีนี้และปีหน้าในระดับ entry, mainstream และ high-end

คาดกันว่าทาง NVIDIA นั้นจะหันมาใช้ GDDR6 เพื่อใช้กับชิปกราฟฟิค “Volta” สำหรับตลาด consumer นั่นเอง

ที่มา SKHynix ผ่านทาง Techpowerup

Share This:

857 ผู้เข้าชม

Nanya เผยราคา DRAM จะราคาเพิ่มสูงขึ้นในช่วงครึ่งปีแรกของปี 2561

 

หลังจากที่ปีที่แล้วนั้นราคาของ DRAM เพิ่มสูงขึ้นโดยในครึ่งปีแรกของปีนี้คาดว่าจะมีราคาสูงขึ้นอีกและสถานการณ์ ก็ไม่ได้เปลี่ยนแปลงไปซึ่งผู้ผลิตบางรายก็ได้ออกมาประกาศเพิ่มกำลังการผลิต ซึ่งข้อมูลเหล่านี้ก็มาจาก Lee Pei-ing ประธานของ Nanya Technology

เขากล่าวต่อนักลงทุนในวันที่ 16 ที่ผ่านมา โดยเขากล่าวว่า Samsung Electronics และ SK Hynix นั้นเตรียมเพิ่มกำลังการผลิต DRAM ในปีนี้ โดยตลาดจะคงตัวและมีการความต้องการ memory เพิ่มอีก 20 – 25%

Lee เปิดเผยว่า Nanya ได้ปล่อยเดิมพันทุกอย่างไว้กับ Micron Technology ในช่วงปลายปีที่แล้วโดยได้เงินมากว่า 63,562 ล้านดอลล่าร์ไต้หวัน (ราวๆ 2,150 ล้านเหรียญสหรัฐ)

นอกจากนี้เขายังเปิดเผยอีก Nanya ได้ทำการผลิต 8GB DDR4 ที่ใช้เทคโนโลยีการผลิตที่ 20nm ในปริมาณมากในไตรมาสที่ 4 ของปีที่แล้ว เพื่อที่จะกลับมายังตลาด DRAM ของเครื่องเซิฟเวอร์ ในไตรมาสที่ 2 ของปีนี้

Lee คาดว่าความต้องการของตลาดเซิฟเวอร์นั้นจะมีมากในปีนี้เนื่องจากการเพิ่มขึ้น datacenters และตัว applications ของ 5G รวมถึง AI (artificial intelligence) ที่มาเพิ่มความต้องการใช้ DRAM ของตลาดเซิฟเวอร์

เมื่อ AI มีการใช้งานมากขึ้นและมีการใช้งานกับ smartphone ในระดับ high-end ทำให้ DRAM ที่ต้องใช้ใน smartphone นั้นต้องการความจุสูงขึ้นอาจไปถึงขนาด 4 – 6 GB เลยทีเดียว และความต้งการ DRAM จากผู้บริโภคอื่นๆ อย่างในเครื่อง TV, set-top box, เครื่องเกมคอนโซล, อุปกรณ์ขุดเหมืองดิจิตอล และอุปกรณ์จำพวก smart voice-assistant ก็มีความต้องการสูงขึ้น

ในงาน conference ทาง Nanya ได้รายงานถึงผลประกอบการว่ามีผลประกอบการที่ 54,933 ล้านดอลล่าร์ไต้หวัน ในปีที่แล้วเพิ่มขึ้นมา 31.9% ต่อปี ซึ่งราคา DRAM นั้นเพิ่มสูงขึ้น 35% ต่อปีทำให้บริษัททำกำไรไปถึง 24,677 ล้านดอลล่าร์ไต้หวัน กวาดรายได้เพิ่มถึง 44.9% ในปีที่แล้ว

โดยรวมแล้วบริษัทลงทุนเพื่อหารายได้เพิ่ม (capex) ไปกว่า 29,395 ล้านดอลล่าร์ไต้หวัน ในปีี่แล้วและในปีนี้ก็คาดว่าจะลงทุนอีก 11,500 ล้านดอลล่าร์ไต้หวัน

ที่มา Digitimes

Share This:

1.7K ผู้เข้าชม

Samsung เปิดตัว 16-Gigabit GDDR6 Memory เป็นเจ้าแรก

 

Samsung Electronics Co., Ltd. ผู้นำในด้านเทคโนโลยีการผลิตชิป memory ได้ออกมาประกาศเริ่มการผลิต ชิป 16-gigabit (Gb) GDDR6 (Graphics Double Data Rate 6) ในแบบ mass production เป็นเจ้าแรกในอุตกรรมผลิตชิป ที่ใช้การชิปกราฟฟิคสำหรับเครื่องเล่นเกม และการ์ดจอ รวมถึงชิปที่ใช้ในยานยนต์ , network และ ระบบ A.I. (Artificial Intelligence system)

 GDDR6

“การเริ่มผลิต 16 Gb GDDR6 เป็นเจ้าแรกของอุตสาหกรรมนี้จะทำให้เราสามารถ DRAM ที่ครอบคลุมกราฟฟิค line-up ที่ประสิทธิภาพสูงสุดและมีความจุที่สูงขึ้นในเวลาที่เหมาะสม”  Jinman Han รองประธานอาวุโสฝ่ายวางแผนผลิตภัณฑ์ Memory และ วิศวกรรม Application ของ Samsung Electronics กล่าว “ด้วยการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ next-generation GDDR6 นั้นจะทำให้ตลาด gaming และการ์ดจอแข็งแกร่งขึ้น และเติบโตขึ้นเพื่อรองรับความต้องการของ advanced graphics memory ในตลาดยานยนต์และระบบ network ”

โดยตัวชิปนั้นนั้นผลิตด้เวยเทคโนโลยีการผลิตของ Samsung ที่ 10-nanomter (nm) ทำให้ GDDR6 memory นั้นมีความจุที่ 16 Gb (2 GB) ซึ่งมากกว่าชิป memory ที่ผลิตด้วยเทคโนโลยี 20-nanometer ที่ความจุ 8 Gb สำหรับ GDDR5 memory โดยโซลูชั่นใหม่นี้จะทำความเร็วได้ที่ 18-gigabits-per-second (Gbps) สามารถรับส่งข้อมูลได้ที่ 72 gigabytes per second (GBps) ซึ่งมากกว่า 8 Gb GDDR5 ที่ทำงานที่ 8 Gbps อยู่สองเท่าเลยทีเดียว

ด้วยนวัตกรรมการออกแบบให้ใช้พลังงานน้อยทำให้ GDDR6 นั้นทำงานที่ 1.35V ซึ่งทำให้ลดการใช้พลังงานลงถึง 35 % เมื่อเทียบกับ GDDR5 ซึ่งทำงานที่ 1.55V โดยกระบวนการผลิตที่ 10nm สำหรับ 16 Gb GDDR6 นั้นจะสามารถผลิตชิปได้มากขึ้น 30 % เมื่อเทียบกับ 20 nm 8Gb GDDR5

สำหรับการผลิต GDDR6 Samsung ที่มาก่อนใครนั้นจะสามารถนำตลาด next-generation และระบบต่างๆ ด้วยความจุและประสิทธิภาพที่สูงและประหยัดพลังงาน ซึ่งจะทำให้ 16Gb GDDR6 นั้นมีการใช้งานอย่างกว้างขวาง เช่นในการประมวลผล 8K Ultra HD video , virtual reality (VR), augmented reality (AR) และ A.I. (Artificial Intelligence)

ด้วย graphic memory lineup ที่ครอบคลุมถึง 18 Gbps ชิป 16 Gb GDDR6 และ 2.4 Gbps 8GB HBM2 ที่ทาง Samsung ผลิตนั้นคาดว่าจะช่วยเร่งการเติบโตสำหรับตลาด premium memory ไปอีกหลายปี

ที่มา Samsung ผ่านทาง Techpowerup

Share This:

923 ผู้เข้าชม

Memory Chip มีราคาลดลงในไตรมาสที่ 4 ปี พ.ศ. 2560 ที่ผ่านมา

 

รอยเตอร์รายงานว่ามีการลดลงของราคาชิปหน่วยความจำในไตรมาสที่ 4 ของปีพ.ศ. 2560 ถึง 5% ทำให้คาดการณ์รายได้และผลกำไรของผู้ลงทุนที่อาจชะลอลงถึง 5% ซึ่งอาจดูไม่ค่อยมากเท่าไหร่นักเมื่อดูที่การเพิ่มขึ้นของราคาเดิมของหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นเกือบเท่าตัวของหน่วยความจำชนิด DDR4 สามารถดูได้จากกราฟ PC Part Picker ด้านล่าง สำหรับโมดูลราคาหน่วยความจำนี้ไม่อาจรวมถึงการลดลง 5% ของราคาหน่วยความจำที่ขายในตลาดผู้ใช้งาน แต่สำหรับนักลงทุนแล้วถือว่ามีความสำคัญอยู่สำหรับการทำกำไรในอนาคต

การลดราคาลง 5% นี้ช่วยให้นักวิเคราะห์ประเมินประมาณการกำไรของปี พ.ศ. 2561 และคาดว่าอัตราการเติบโตของอุตสาหกรรมหน่วยความจำจะลดลงกว่าครึ่งปีนี้เหลือเพียง 30 % เพราะว่าอัตราการเติบโตจะเป็น 30 % แทน 60 % ซึ่งนำไปสู่ปฏิกิริยาจากนักลงทุนและตลาดหุ้นสำหรับผู้ผลิตหน่วยความจำโดยรวมแม้ว่ามูลค่าหุ้นของ Samsung จะลดลง 7.5% เมื่อสัปดาห์ที่แล้วขณะที่ SK Hynix ปรับตัวลดลง 6.2% แต่ความต้องการตลาด DRAM ในกลุ่มสมาค์โฟนกลับเพิ่มขึ้นอีก 38 % จากไตรมาสที่สองของปี พ.ศ.2559 ขณะที่กลุ่ม NAND ก็มีอัตราความต้องการเพิ่มขึ้นกว่า 84 % ตามการวิเคราะห์โดย BNP Paribas (รอยเตอร์)

นักวิเคราะห์ของบริษัท Macquarie ประเมินว่าอัตรากำไรจากการดำเนินงานของกลุ่มชิปของ Samsung จะเพิ่มขึ้นเป็น 47% ในปีที่แล้วจาก 26.5% ในปี พ.ศ.2559 และจะเพิ่มขึ้นอีก 55.5% ในปีนี้ นายมูราโนผู้อำนวยการฝ่ายการตลาดของ Nomura กล่าวว่าผู้ผลิต DRAM จะเร่งสร้างการผลิต/การลงทุนในการผลิตเพิ่มเป็นสี่เท่าในปี พ.ศ.2560 และ พ.ศ.2561 รวมมูลค่าอยู่ที่ 38 พันล้านดอลลาร์จาก ปีพ.ศ. 2560 ซึ่งอาจทำให้ในช่วงปี พ.ศ. 2560 ราคาอาจมีการปรับลดลงได้ถึง 18% ในปีหน้า

ความต้องการที่มากดังกล่าวจะช่วยให้อุตสาหกรรมมีอัตรากำไรที่ดีขึ้นในปีนี้และการลงทุนในเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูงของผู้ผลิตชิปหน่วยความจำ จะช่วยลดต้นทุนการผลิตและให้ผลกำไรอย่างต่อเนื่องแม้ในยามที่ราคามีการปรับลดลงนักวิเคราะห์กล่าว

ที่มา : techpowerup

Share This:

700 ผู้เข้าชม

Toshiba พร้อมทุ่มทุนกว่า 7 พันล้านเยนสำหรับสร้างโรงงานผลิต Semiconductor

 

ทาง Toshiba Corporation นั้นได้ออกมาประกาศว่าเตรียมเดินหน้าสร้างโรงงานผลิต memory ที่เมือง คิตะคามิ จังหวัดอิวาเตะ โดยบริษัทลูกอย่าง Toshiba Memory Corporation (TMC)นั้นจะดำเนินการสร้างโรงงานโดยใช้เงินทุนไปกว่า 7 พันล้านเยนซึ่งจะสร้างในปีงบประมาณนี้โดยโรงงานดังกล่าวได้มีการประกาศสร้างในวันที่ 6 กันยายนที่ผ่านมา ซึ่งโรงงานนี้จะผลิต BiCS Flash, flash memory ของ TMC และถือได้ว่าเป็นโรงงานที่ 7 ของทาง TMC

เนื่องจากความต้องการในตลาดนั้นมีสูงขึ้นอย่างต่อเนื่องสำหรับ flash memory ทั้งจาก data centers และ enterprise server ทำให้ TMC ต้องขยายฐานการผลิต memory ในเมือง โยคไคชิ ในจังหวัดมิเอะ เพิ่มซึ่งโรงงานที่ 6 ก็อยู่ระหว่างก่อสร้างและจะแล้วเสร็จในปลายปีหน้า ซึ่ง TMC นั้นมองเห็นถึงความก้าวหน้าในภายภาคหน้าและจะมุ่งหน้าไปสู่การทำ 3D flash memory clean room เพื่อให้พอต่อความต้องการ โดย TMC นั้นจะซื้อที่ดินเพื่อมาสร้างโรงงาน และเตรียมไซต์งานในเดือน กุมภาพันธ์ ปีหน้าและในเวลาเดียวกันก็จะสร้างอุปกรณ์และเครื่องมือต่างๆให้พร้อมใช้ในโรงงานสำหรับโรงงานในเมือง คิตะคามินั้นจะเริ่มในปีงบประมาณถัดไป ในทันกับการเปลี่ยนแปลงของตลาด ซึ่ง TMC นั้นจะเปิดบริษัทใหม่ได้แก่ Toshiba Memory Iwate Corporation เพื่อจัดการในส่วนของ start-up และ operation ของตัวโรงงาน

ที่มา Tom’s Hardware

Share This:

1.4K ผู้เข้าชม

RAM DDR4 Gen2 Samsung C-die 8 Gb 3600MHz ผลิตด้วยเทคโนโลยี 10nm

 

Samsung ได้ออกมากล่าวว่าได้ริเริ่มการผลิตชิปหน่วยความจำ DDR4 ในจำนวนมากโดยใช้กระบวนการผลิตขนาด 10 nm Gen 2 ด้วยเทคโนโลยีการผลิตใหม่จะช่วยให้ลดขนาดชิพของ DRAM เล็กลงและช่วยเพิ่มประสิทธิภาพมากขึ้นและใช้พลังงานน้อยลง เมื่อได้การทำตามกระบวนการดังกล่าวทำให้ต้องมีการออกแบบวงจรใหม่ ทำให้เป็นครั้งแรกในอุตสาหกรรม DRAM ที่ชิปวงจรสามารถทำงานที่ความเร็ว 3600 Mbit/s (DDR4-3600) ที่แรงดันไฟฟ้ามาตรฐานของ DDR4 ที่ 1.2v สำหรับตอนนี้ได้รับการส่งมอบไปเพื่อทดสอบกับผู้ผลิต CPU รายใหญ่แล้วเพื่อตรวจสอบประสิทธิภาพ

DDR4 ของ Samsung รุ่นใหม่ที่ผลิตโดยใช้กระบวนการผลิต 10nm (1y nm ตามการเรียกของ Samsung) จะมีความจุเริ่มต้นที่ 8 GB และรองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลเร็วถึง 3600 MT/s ที่ 1.2 โวลต์ โดยที่ DRAM รุ่นใหม่นี้จะทำงานเร็วกว่ารุ่นก่อน 12.5% ​​(เรียกว่า Samsung C-die) และมีการอ้างว่าสามารถจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพมากขึ้นถึง 15% เช่นกัน

Samsung ให้ข้อมูลเพิ่มเติมอีกว่า DDR4 3200MHz 8GB รุ่นใหม่นี้มีอัตราการผลิตประมาณ 30% เมื่อเปรียบเทียบกับชิปที่ทำมาก่อนหน้า ซึ่งอาจเพราะว่าการลดขนาดการผลิตลงทำให้เวเฟอร์หนึ่งแผ่นสามารถผลิตได้จำนวน DRAM มากขึ้นแต่ไม่ได้หมายความว่าค่าใช้จ่ายในการผลิตจะลดลงด้วย

เป็นที่น่าสังเกตว่า DRAM C-die ของ Samsung จะยังไม่ได้ใช้โดยบริษัทต่างๆเช่น Corsair หรือ G.Skill สำหรับผลิตหน่วยความจำระดับแนวหน้าของบริษัทให้ผู้ใช้งาน ซึ่งจะพบได้ว่าทั้งสองบริษัทยังคงใช้เทคโนโลยี Samsung B-die ที่ใช้เทคโนโลยีกระบวนการผลิต 20 nm ซึ่งในตอนนี้ยังไม่รู้ว่าจะมีการเลือกใช้งาน 1y nm ที่เป็นหน่วยความจำชนิด DDR4 8 Gb นี้หรือหรือไม่และเมื่อใด

สำหรับทาง Intel, AMD, IBM, Qualcomm ฯลฯ ได้มีการนำหน่วยความจำ DDR4-3600 8 Gb ที่ถูกพัฒนามาใหม่นี้ไปทดสอบกับผลิตภัณฑ์ของตนเองเพื่อหาความเข้ากันได้ ซึ่งน่าจะเห็นได้จากการที่มีการวาง ICs 8 Gb ในโมดูล SO-DIMM ซึ่งจะมีการใช้งานบนโน๊ตบุ๊คก่อนเป็นลำดับแรกๆ ซึ่งก็คาดว่าจะมีการใช้งานบนเดสท๊อปด้วยจากการที่มีการเผยแพร่ข้อมูลของ DIMM และ SO-DIMM ออกมาก่อนหน้านี้

นอกเหนือจากการประกาศเปิดตัว DDR4 DRAM 8 Gb แล้วซัมซุงยังกล่าวอีกว่าจะผลิตชิพหน่วยความจำเพิ่มขึ้น (ไม่เพียงแค่ DDR4 เท่านั้นแต่รวมถึง DRAM สำหรับมือถือด้วย) โดยใช้กระบวนการผลิตขนาด 10 nm เพื่อตอบสนองความต้องการสำหรับ DRAM ที่มีอยู่มากในขณะนี้

ที่มา : anandtech

Share This: